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半導(dǎo)體行業(yè)用微量水分計(jì)“FalconTrace Trace介紹

發(fā)布時(shí)間:2023-07-21 點(diǎn)擊量:877

半導(dǎo)體行業(yè)用微量水分計(jì)“FalconTrace Trace介紹

在半導(dǎo)體材料及電子器件生產(chǎn)中,要用到H、N、O、Ar和He等高純氣體,氣體純度嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量。如氫、氮等氣體及其流經(jīng)的系統(tǒng)中的水份和氧,對(duì)硅及Ⅲ-V族化合物是極其有害的。在硅外延工藝中,氫中水份達(dá)100vpm時(shí),硅外延層會(huì)變成多晶結(jié)構(gòu)。在MOS大規(guī)模集成電路的硅柵多晶薄膜工藝中,若稀釋氣體中含有微量水份,使多晶硅薄膜中夾有“氧化硅集團(tuán)",從而在刻蝕多晶硅薄膜時(shí),造成多晶硅脫落,致使電學(xué)性能變壞。因此,對(duì)高純氣體及其流經(jīng)系統(tǒng)中的微量氧和水份必須進(jìn)行監(jiān)測和控制。

現(xiàn)在階段,N、Ar、H這些體積氣體中的雜質(zhì)(也包括水分)已能被控制在1ppb以下。為了進(jìn)一步提高半導(dǎo)體工藝的質(zhì)量,需要能提高特殊氣體的純度,尤其需要降低其中的殘留水分。現(xiàn)有的特殊氣體水分濃度計(jì)測裝置主要有電容式,壓電晶體振蕩器式等。但是,由于特殊氣體的反應(yīng)性,腐蝕性、反應(yīng)生成物的堆積等問題,測定裝置的時(shí)效變化較為顯著,為此,傳感器必須經(jīng)常清洗并作短期再校正等。特別是在傳感器吸附了水分時(shí),特殊氣體出現(xiàn)溶入現(xiàn)象,那就根本不可能進(jìn)行精密的,無法準(zhǔn)確測定。現(xiàn)介紹一種新的測定儀: 彈性表面波 (SAW) “FalconTrace Trace水分測定儀"。

設(shè)備原理:

在直徑為 3.3 毫米的小球表面有彈性表面波(SAW),SAW波根據(jù)指令具備檢測ppmv的下限 (1 / 1,000,000) 利用此彈性表面或 ppbv(1/10 億) 微小水分測量的功能 且在1秒或30秒內(nèi)實(shí)現(xiàn)高速響應(yīng)。充分利用這些功能,研制了“Falcon Trace Trace“水分測定儀"系列產(chǎn)品

設(shè)備特點(diǎn):

●檢測 ppmv或ppbv級(jí)的高靈敏度且范圍寬,即使微量的水也能檢測出。

●利用厚度僅為10nm的感應(yīng)薄實(shí)現(xiàn)了未有的高速檢測。

●從天然氣到高純氣體,設(shè)備全部涵蓋。

●適用于工業(yè)氣體制造過程,以及運(yùn)輸時(shí)的質(zhì)量控制。

●電池制造過程中的水分監(jiān)測;半導(dǎo)體制造用氣體的純度的控制;干燥 箱,空間含水

  量分布的檢測。

設(shè)備型號(hào)對(duì)應(yīng)功能:

1,F(xiàn)T-700WT  實(shí)現(xiàn)“超"微量水分測量該系列中的高級(jí)型號(hào)

   -測量范圍從零下-110°C到-20°C大范圍測量。

   -除了溫度點(diǎn)的測量,目標(biāo)氣體的成分(相當(dāng)于平均分子量)也能檢測,能測量到

    百分比的程度。

   -從天然氣到高純氣體,這臺(tái)設(shè)備全部涵蓋。

   -應(yīng)用場合:工業(yè)氣體制造過程,以及運(yùn)輸時(shí)的質(zhì)量控制。半導(dǎo)體制造用氣體的純

    度的控制。

2,F(xiàn)T-400WT  中檔測量,能實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)測量。

   - 非常適合檢測1秒之內(nèi)從-90°C以上的實(shí)時(shí)控制變化的測量 。

   - 還可以改造設(shè)備儀器為客戶設(shè)備的內(nèi)置型。

   - 應(yīng)用場合:一般生產(chǎn)線的質(zhì)量控制,以及電池制造過程中的水分監(jiān)測。

3,F(xiàn)T-300WT   高速反應(yīng)且具有可移動(dòng)性的小型通用機(jī)種。

   - 能測量1秒之內(nèi)從-70°C以上實(shí)時(shí)測量變化的數(shù)據(jù)。

   - 重量輕(2kg)且體積小,便于攜帶。

     - 內(nèi)置電池驅(qū)動(dòng),即使在沒有電源的地方也可以使用。

   - 應(yīng)用場合:干燥箱,空間含水量分布,一般氣體水分測量。